Si 박막내의 P, B 도핑량 정량시 (ICP-MS) 전처리 방법

이름 : asuka3 | 작성일 : 2009.01.07 09:36 | 조회수 : 20849

안녕하세요 제가 문의 하고 싶은 사항은 웨이퍼 혹은 Glass 위에 Si 박막을 수백 A 수준으로 형성하는데 그때 B 혹은 P 로 도핑을 하게 됩니다. 어느 정도 도핑되었는지 ICP-MS로 분석하고자 하는데 전처리 방법에 대해 문의하고 싶습니다. 불산 등을 사용하여 처리하였을때 우리가 보고자 하는 B, P 외에 Si이 다량 포함되므로 ICP-MS에 넣었을 경우 설비에 무리를 주게될거같고 희석하여 사용하면 B, P 등이 검출이 안될거 같습니다. TRC 등의 문헌에는 Si을 제거했다고만 간략히 나오는데요 ICP-MS를 이용하여 분석하고자할때 B,P 외에 Si은 어떻게 제거하게되는가요?
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번호	파일	제목	이름	작성일	조회수
		Si 박막내의 P, B 도핑량 정량시 (ICP-MS) 전처리 방법	asuka3	2009.01.07	20,850
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